SIE808DF-T1-GE3
PDF資料下載

SIE808DF-T1-GE3參數：MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：60A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.6 歐姆 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：155nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：8800pF @ 10V
功率 - 最大值：125W
安裝類型：表面貼裝
封裝：10-PolarPAK?（L）
供應商器件封裝：10-PolarPAK?（L）