SIE812DF-T1-GE3
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SIE812DF-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：60A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.6 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：170nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：8300pF @ 20V
功率 - 最大值：125W
安裝類型：表面貼裝
封裝：10-PolarPAK?（L）
供應(yīng)商器件封裝：10-PolarPAK?（L）