SIE816DF-T1-E3
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SIE816DF-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH D-S 60V POLARPAK

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：60A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：7.4 毫歐 @ 19.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：77nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3100pF @ 30V
功率 - 最大值：125W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：10-PolarPAK?（L）
供應(yīng)商器件封裝：10-PolarPAK?（L）