SIE812DF-T1-E3
PDF資料下載

SIE812DF-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： PolarPAK?PowerMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：60A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：2.6毫歐@25A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：170nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：8300pF@20V
功率-最大值：125W
安裝類型：表面貼裝
封裝：10-PolarPAK?（L）
供應(yīng)商器件封裝：10-PolarPAK?（L）