SIE802DF-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： VishaySiliconixPolarPAK?PowerMOSFETsWithDouble-SidedCooling標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：60A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.9毫歐@23.6A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.7V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：160nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：7000pF@15V功率-最大值：125W安裝類型：表面貼裝封裝：10-PolarPAK?（L）供應(yīng)商器件封裝：10-PolarPAK?（L）
