SQ2361EES-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： SQSeriesPowerMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：150毫歐@2.4A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：17nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：545pF@30V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）