SQ2360EES-T1-GE3
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SQ2360EES-T1-GE3參數：MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

類別：分立半導體產品-FET - 單
特色產品： SQSeriesPowerMOSFETs
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：85毫歐@6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：370pF@25V
功率-最大值：3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）