SQ2361EES-T1-GE3
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SQ2361EES-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： SQSeriesPowerMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：150毫歐@2.4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：17nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：545pF@30V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）