SIB456DK-T1-GE3
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SIB456DK-T1-GE3參數：MOSFET N-CH 100V D-S SC75-6L

類別：分立半導體產品-FET - 單
特色產品： 100VTrenchFET?PowerMOSFETs
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6.3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：185毫歐@1.9A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：5nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：130pF@50V
功率-最大值：13W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK?SC-75-6L
供應商器件封裝：PowerPAK?SC-75-6L單