SIB452DK-T1-GE3參數：MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：190V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：1.5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.4 歐姆 @ 500mA，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.5nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：135pF @ 50V功率 - 最大值：13W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK? SC-75-6L供應商器件封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單
