SIB419DK-T1-GE3
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SIB419DK-T1-GE3參數：MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：9A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：60 毫歐 @ 5.2A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11.82nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：562pF @ 6V
功率 - 最大值：13.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? SC-75-6L
供應商器件封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單