SIB414DK-T1-GE3
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SIB414DK-T1-GE3參數：MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

類別：分立半導體產品-FET - 單
特色產品： MOSFETsDesignedforOn-ResistanceRatingsat1.2V
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：8V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：26毫歐@7.9A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：14.03nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：732pF@4V
功率-最大值：13W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK?SC-75-6L
供應商器件封裝：PowerPAK?SC-75-6L單