NTGD4169FT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：二極管（隔離式）漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.6A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：90毫歐@2.6A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：5.5nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：295pF@15V功率-最大值：900mW安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：SC-74，SOT-457供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP
