NTGD4161PT1G
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NTGD4161PT1G參數：MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
產品變化通告： ProductDiscontinuation30/Sept/2011
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：1.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：160毫歐@2.1A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：7.1nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：281pF@15V
功率-最大值：600mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-74，SOT-457
供應商器件封裝：6-TSOP