NTGD3147FT1G
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NTGD3147FT1G參數：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductObsolescence01/Jul/2009
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：2.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：145毫歐@2.2A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：5.5nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：400pF@10V
功率-最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-74，SOT-457
供應商器件封裝：6-TSOP