STD1NK60-1參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單ReferenceDesignLibrary： STEVAL-ISB001V1:1CellChargerusingDiscretes標(biāo)準(zhǔn)包裝：75系列：SuperMESH™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：8.5歐姆@500mA，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3.7V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：10nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：156pF@25V功率-最大值：30W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
