<li id="wwmg0"></li>
STD18N55M5參數(shù)：MOSFET N-CH 550V 13A DPAK
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STD18N55M5ViewAllSpecifications產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： 5thGenerationHighVoltageMosfetTechnology標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：MDmesh™包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：550V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：13A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：240毫歐@6.5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：31nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1352pF@100V功率-最大值：90W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
<li id="a0aii"></li>
