STD1NK60-1
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STD1NK60-1參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
ReferenceDesignLibrary： STEVAL-ISB001V1:1CellChargerusingDiscretes
標(biāo)準(zhǔn)包裝：75
系列：SuperMESH™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.5歐姆@500mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.7V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：156pF@25V
功率-最大值：30W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3長引線，IPak，TO-251AB
供應(yīng)商器件封裝：I-Pak