STD11NM65N
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STD11NM65N參數：MOSFET N CH 650V 11A DPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
其它有關文件： STD11NM65NViewAllSpecifications
標準包裝：2,500
系列：Mdmesh™II
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：650V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：11A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：455毫歐@5.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：29nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：800pF@50V
功率-最大值：110W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：D-Pak