STD11NM60N
PDF資料下載

STD11NM60N參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STD11NM60NViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：MDmesh™
包裝：帶卷(TR)
FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：10A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：450毫歐@5A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：31nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：850pF@50V
功率-最大值：90W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak