STB36NM60N
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STB36NM60N參數：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
其它有關文件： STB36NM60NViewAllSpecifications
標準包裝：1,000
系列：Mdmesh™II
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：29A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：105毫歐@14.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：83.6nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2722pF@100V
功率-最大值：210W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：D²PAK