STB38N65M5參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STB38N65M5ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：Mdmesh™V包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：30A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：95毫歐@15A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：71nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3000pF@100V功率-最大值：190W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D²PAK
