SIHU3N50D-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：500V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：3A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.2 歐姆 @ 2.5A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：175pF @ 100V功率 - 最大值：104W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA供應(yīng)商器件封裝：TO-251AA
