SIHP8N50D-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：500V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：8.7A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：850 毫歐 @ 4A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：527pF @ 100V功率 - 最大值：156W安裝類(lèi)型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
