SI8429DB-T1-E1
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SI8429DB-T1-E1參數：MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

類別：分立半導體產品-FET - 單
特色產品： MOSFETsDesignedforOn-ResistanceRatingsat1.2V
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，1.2V驅動
漏源極電壓(Vdss)：8V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：11.7A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：35毫歐@1A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：800mV@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：26nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1640pF@4V
功率-最大值：6.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：4-XFBGA，CSPBGA
供應商器件封裝：4-Microfoot