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SI8424DB-T1-E1參數(shù)：MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： MOSFETsDesignedforOn-ResistanceRatingsat1.2V標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，1.2V驅(qū)動漏源極電壓(Vdss)：8V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：31毫歐@1A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：33nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1950pF@4V功率-最大值：6.25W安裝類型：表面貼裝封裝：4-XFBGA，CSPBGA供應(yīng)商器件封裝：4-Microfoot
