SI7909DN-T1-E3
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SI7909DN-T1-E3參數：MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：5.3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：37 毫歐 @ 7.7A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 700µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：24nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? 1212-8 雙
供應商器件封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual