SI7909DN-T1-GE3參數(shù)：MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個(gè) P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：12V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：5.3A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：37 毫歐 @ 7.7A，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 700µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：24nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.3W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK? 1212-8 雙供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual
