SI5513CDC-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V 1206-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：4A，3.7A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：55 毫歐 @ 4.4A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4.2nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：285pF @ 10V功率 - 最大值：3.1W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：1206-8 ChipFET?
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