SI5509DC-T1-E3
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SI5509DC-T1-E3參數：MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：5A，3.9A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：52 毫歐 @ 5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.6nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：455pF @ 10V
功率 - 最大值：2.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應商器件封裝：1206-8 ChipFET?