SI4477DY-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：26.6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6.2 毫歐 @ 18A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：190nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4600pF @ 10V功率 - 最大值：6.6W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N
