SI4472DY-T1-E3參數(shù):MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:WFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):150V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):7.7A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 5A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):43nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1735pF @ 50V功率 - 最大值:5.9W安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N