SI4435DYTR
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SI4435DYTR參數：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：4,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2320pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SO