SI4435DYPBF
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SI4435DYPBF參數：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標準包裝：95
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：8A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20毫歐@8A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2320pF@15V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SO