SI1913DH-T1-E3參數：MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：880mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：490 毫歐 @ 880mA，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 100µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.8nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：570mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應商器件封裝：SC-70-6
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