SI1903DL-T1-GE3
PDF資料下載

SI1903DL-T1-GE3參數：MOSFET 2P-CH 20V 410MA SC70-6

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：410mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：995 毫歐 @ 410mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：270mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SC-70-6