RP1H065SPTR參數：MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：1,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：45V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：6.5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：31 毫歐 @ 6.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：28nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3200pF @ 10V功率 - 最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：6-SMD，扁平引線供應商器件封裝：MPT6
<center id="ey08s"></center>
