RP1E090RPTR參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： MOSFETP-ChannelMPT6特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：16.9毫歐@9A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3000pF@10V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：MPT6
