RMW200N03TB參數(shù)：MOSF N CH 30V 20A PSOP8
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：20A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.2 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：29nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1780pF @ 15V功率 - 最大值：3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：8-PSOP
