RMW180N03TB參數(shù)：MOSF N CH 30V 18A PSOP8
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：18A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：5.6 毫歐 @ 18A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：24nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1250pF @ 15V功率 - 最大值：3W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線(xiàn)供應(yīng)商器件封裝：8-PSOP
