NTJS3151PT1G
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NTJS3151PT1G參數：MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：2.7A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：60 毫歐 @ 3.3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：400mV @ 100µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.6nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：850pF @ 12V
功率 - 最大值：625mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SOT-363