NTJD5121NT2G
PDF資料下載

NTJD5121NT2G參數：MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：295mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.6 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：26pF @ 20V
功率 - 最大值：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SOT-363