NTJD4152PT1
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NTJD4152PT1參數(shù)：MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： LTBNotification03/Jan/2008
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：880mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：260毫歐@880mA，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：450mV@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.2nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：155pF@20V
功率-最大值：272mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝：SOT-363