NTJD4105CT1G
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NTJD4105CT1G參數：MOSFET N/P 20V/8V 630MA SOT-363

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V，8V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：630mA，775mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：375 毫歐 @ 630mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：46pF @ 20V
功率 - 最大值：270mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SOT-363