NTJD2152PT4G
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NTJD2152PT4G參數：MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：10,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：8V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：775mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 570mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：225pF @ 8V
功率 - 最大值：270mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SOT-363