NTJD2152PT2G
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NTJD2152PT2G參數(shù)：MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence19/Dec/2008
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：8V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：775mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：300毫歐@570mA，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：4nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：225pF@8V
功率-最大值：270mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SOT-363