NTHD5903T1G
PDF資料下載

NTHD5903T1G參數(shù)：MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：155毫歐@2.2A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：600mV@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：7.4nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：-
功率-最大值：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：ChipFET?