NTHD4N02FT1G
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NTHD4N02FT1G參數：MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：2.9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：80毫歐@2.9A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：4nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：300pF@10V
功率-最大值：910mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應商器件封裝：ChipFET?