MMDF1N05ER2參數(shù)：MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：-包裝：剪切帶(CT)FET類型：2個(gè)N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：50V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：300毫歐@1.5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：12.5nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：330pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
ONSOP82023+93350全新原廠原裝現(xiàn)貨
