MMDF3N04HDR2G
PDF資料下載

MMDF3N04HDR2G參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 3.4A 40V 8SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：80毫歐@3.4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：28nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：900pF@32V
功率-最大值：1.39W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN